Новые -12V, -20V и -30V p-канальные Gen III транзисторы от Vishay
09.12.2013
Компания Vishay Intertechnology расширила линейку TrenchFET® Gen III P-канальных мощных транзисторов в ультракомпактном корпусе PowerPAK® SC-70, представив новые -12 В (SiA467EDJ), -20 В (SiA437DJ) и -30 В (SiA449DJ и SiA483DJ) MOSFET с наименьшим сопротивлением открытого канала в своем классе рабочих напряжений.
Самый низковольтный представитель из числа новинок – SiA467EDJ – обладает Rds(on) всего 13 мОм при -4.5 В на затворе, что позволяет значительно уменьшить статические потери на проводимость и может потребоваться, к примеру, в ключевых схемах управления нагрузкой. SiA467EDJ и SiA437DJ выдерживают максимальный ток до 30 А, что очень актуально при включении нагрузок с большим пусковым током.
Миниатюрный корпус новых силовых транзисторов 2х2 мм PowerPAK® SC-70 позволяет в значительной степени экономить место на печатной плате разрабатываемого устройства.
Типовая область применения новинок – ключевые схемы «верхнего уровня» для распределения мощности (выключатели нагрузки) в переносных устройствах с автономным (батарейным) питанием.
Типовая схема применения
Наименование | VDS (В) | VGS (В) | RDS(ON) (мОм) @ | ||||
− 10 В | − 4.5 В | − 2.5 В | − 1.8 В | − 1.5 В | |||
SiA467EDJ | -12 | 8 | - | 13 | 19.5 | 40 | - |
SiA437DJ | -20 | 8 | - | 14.5 | 20.5 | 33.0 | 65.0 |
SiA449DJ | -30 | 12 | 20 | 24 | 38 | - | - |
SiA483DJ | -30 | 20 | 21 | 30 | - | - | - |