Новые 650V IGBT для ответственных применений от International Rectifier

21.01.2014

Компания International Rectifier представила новое семейство 650-вольтовых Trench-IGBT транзисторов, которые обеспечивают дополнительный запас прочности систем, работающих в условиях питающего напряжения с высоким уровнем пульсаций.

Новые IGBT выполнены по технологии поколения Gen 6 и предназначены для работы на частотах от 8 до 30 кГц (спецификация Ultrafast), при гарантированной длительности безопасной работы в режиме КЗ (SCSOA) более 5 мкс. Транзисторы предназначены для реализации систем бесперебойного питания и инверторных схем, в том числе для управления электродвигателями и построения сварочных аппаратов постоянного и переменного токов.

Новые транзисторы выпускаются со встроенным обратным диодом (Co-Pack исполнение), а также в дискретном исполнении. Семейство IRGP426x выполнено по «канавочной» технологии с запирающим слоем (Field-Stop Trench), которая позволяет значительно уменьшить потери проводимости и переключения, обеспечивая более высокую плотность мощности и КПД на высоких рабочих частотах. Для обеспечения высоких рабочих токов (до 90 А при температуре корпуса 100°C) и низкого температурного сопротивления кристалл-корпус, транзисторы выпускаются в корпусах TO-247 со стандартными или удлиненными выводами.

Транзисторы обладают низкими значениями Vce(on) с положительным температурным коэффициентом, что облегчает их параллельное включение. Квадратная форма зоны работы при обратном смещении (BRSOA), высокая максимальная допустимая рабочая температура кристалла транзистора (175°C) и высокое значение максимального рабочего напряжения (650 В) обеспечивают новому семейству IGBT повышенную надежность в жестких условиях эксплуатации.

НаименованиеVce (max), ВIc @ Tc 100°C, АVceon, ВСкоростьРабочая темп., °CRth(j-c), °C/ВтДиодКорпус
Падение Vf, Вtrr, нсIrr пик., А
IRGP4262DPBF65040.01.70Ultrafast-40…+1750.61.6017017TO-247