Новые 650V IGBT для ответственных применений от International Rectifier
21.01.2014
Компания International Rectifier представила новое семейство 650-вольтовых Trench-IGBT транзисторов, которые обеспечивают дополнительный запас прочности систем, работающих в условиях питающего напряжения с высоким уровнем пульсаций.
Новые IGBT выполнены по технологии поколения Gen 6 и предназначены для работы на частотах от 8 до 30 кГц (спецификация Ultrafast), при гарантированной длительности безопасной работы в режиме КЗ (SCSOA) более 5 мкс. Транзисторы предназначены для реализации систем бесперебойного питания и инверторных схем, в том числе для управления электродвигателями и построения сварочных аппаратов постоянного и переменного токов.
Новые транзисторы выпускаются со встроенным обратным диодом (Co-Pack исполнение), а также в дискретном исполнении. Семейство IRGP426x выполнено по «канавочной» технологии с запирающим слоем (Field-Stop Trench), которая позволяет значительно уменьшить потери проводимости и переключения, обеспечивая более высокую плотность мощности и КПД на высоких рабочих частотах. Для обеспечения высоких рабочих токов (до 90 А при температуре корпуса 100°C) и низкого температурного сопротивления кристалл-корпус, транзисторы выпускаются в корпусах TO-247 со стандартными или удлиненными выводами.
Транзисторы обладают низкими значениями Vce(on) с положительным температурным коэффициентом, что облегчает их параллельное включение. Квадратная форма зоны работы при обратном смещении (BRSOA), высокая максимальная допустимая рабочая температура кристалла транзистора (175°C) и высокое значение максимального рабочего напряжения (650 В) обеспечивают новому семейству IGBT повышенную надежность в жестких условиях эксплуатации.
Наименование | Vce (max), В | Ic @ Tc 100°C, А | Vceon, В | Скорость | Рабочая темп., °C | Rth(j-c), °C/Вт | Диод | Корпус | ||
Падение Vf, В | trr, нс | Irr пик., А | ||||||||
IRGP4262DPBF | 650 | 40.0 | 1.70 | Ultrafast | -40…+175 | 0.6 | 1.60 | 170 | 17 | TO-247 |