Новые -12V, -20V и -30V p-канальные Gen III транзисторы от Vishay

09.12.2013

Компания Vishay Intertechnology расширила линейку TrenchFET® Gen III P-канальных мощных транзисторов в ультракомпактном корпусе PowerPAK® SC-70, представив новые -12 В (SiA467EDJ), -20 В (SiA437DJ) и -30 В (SiA449DJ и SiA483DJ) MOSFET с наименьшим сопротивлением открытого канала в своем классе рабочих напряжений.

Самый низковольтный представитель из числа новинок – SiA467EDJ – обладает Rds(on) всего 13 мОм при -4.5 В на затворе, что позволяет значительно уменьшить статические потери на проводимость и может потребоваться, к примеру, в ключевых схемах управления нагрузкой. SiA467EDJ и SiA437DJ выдерживают максимальный ток до 30 А, что очень актуально при включении нагрузок с большим пусковым током.

Миниатюрный корпус новых силовых транзисторов 2х2 мм PowerPAK® SC-70 позволяет в значительной степени экономить место на печатной плате разрабатываемого устройства.

Типовая область применения новинок – ключевые схемы «верхнего уровня» для распределения мощности (выключатели нагрузки) в переносных устройствах с автономным (батарейным) питанием.

Типовая схема применения

НаименованиеVDS (В)VGS (В)RDS(ON) (мОм) @
− 10 В− 4.5 В− 2.5 В− 1.8 В− 1.5 В
SiA467EDJ-1281319.540
SiA437DJ-20814.520.533.065.0
SiA449DJ-3012202438
SiA483DJ-30202130