Новые 1200V IGBT с защитой от короткого замыкания

03.07.2013

Новые IGBT изготовлены с применением ультратонких пластин по технологии Field-stop Trench (поколение Gen7), обеспечивающей низкие потери проводимости и переключения. Совмещенные в одном корпусе с антипараллельным диодом,  имеющим мягкий режим восстановления и низкое значение заряда обратного восстановления (Qrr), и обладающие широкой (>10 мкс) зоной безопасной работы в режиме короткого замыкания, эти транзисторы идеально подходят для работы в жестких условиях промышленного применения.

Новое семейство IGBT перекрывает рабочий диапазон токов от 10 до 50 А. Дополнительными  достоинствами семейства являются высокая максимальная рабочая температура p-n перехода +150°C и положительная температурная зависимость параметра Vce(on), что облегчает применение транзисторов при параллельном включении. Все это позволяет снизить рассеиваемую мощность и достигнуть высокой плотности выходной мощности.

Транзисторы доступны для заказа в стандартных корпусах TO-247 и с удлиненными выводами (TO-247AD long lead), а также в самом мощном корпусе Super-247 (TO-274). Имеется возможность заказа отдельных кристаллов транзисторов.

НаименованиеIс max@100°C, AVce(on)@150°C, ВEtot, мДжКорпус
IRG7PH30K10D162.50.9TO-247AC
IRG7PH37K10D252.42.5TO-247AC
IRG7PH44K10D402.45.0TO-247AC
IRG7PH50K10D502.46.3TO-247AC
IRG7PSH54K10D652.411.5Super TO-247
IRG7PSH73K101302.518.4Super TO-247