IRFP4868 – силовой MOSFET с эталонным сопротивлением канала
05.12.2013
Семейство IRFP4x68 силовых MOSFET в корпусе TO-247, выполненных по технологии HEXFET®-trench и имеющих эталонное сопротивление канала в открытом состоянии, расширилось за счет появления нового 300 В транзистора – IRFP4868. Семейство с успехом применяется в системах синхронного выпрямления, системах ORing и промышленных устройствах: электроприводе мощных двигателей постоянного тока, инверторах и электроинструментах.
Все транзисторы семейства IRFP4x68 обладают более низким (до 50%) сопротивлением по сравнению с конкурирующими решениями, что позволило отказаться от больших и дорогих корпусов, традиционно применяемых для транзисторов промышленного исполнения, снижая, тем самым, стоимость конечного устройства. Кроме того, низкое сопротивление уменьшает потери проводимости и повышает КПД системы.
Семейство IRFP4x68 сертифицировано для промышленного применения и перекрывает диапазон рабочих напряжений от 75 до 300 В. Максимально-допустимая рабочая температура p-n перехода составляет 175°С, что позволяет обеспечивать рабочий ток до 195 А для самого мощного представителя семейства. Все транзисторы выполнены по бессвинцовой технологии и безопасны для окружающей среды.
Наименование | Vdss, В | Id при Tкорп=25°C, А | Id при Tкорп=100°C, А | Rds макс., мОм | Qg тип., нКл |
IRFP4368PBF | 75 | 350 | 195* | янв.85 | 380 |
IRFP4468PBF | 100 | 290 | 195* | 02.июн | 360 |
IRFP4568PBF | 150 | 171 | 125 | 05.сен | 151 |
IRFP4668PBF | 200 | 130 | 92 | 09.июл | 161 |
IRFP4768PBF | 250 | 93 | 66 | 17.май | 180 |
IRFP4868PBF | 300 | 70 | 49 | 32 | 180 |