SiR872ADP – новый 150V N-канальный TrenchFET транзистор от Vishay

28.01.2014

SiR872ADP – новый 150V N-канальный TrenchFET транзистор от Vishay

SiR872ADP – новый 150V N-канальный TrenchFET транзистор от Vishay

29.01.2014

Компания Vishay Intertechnology выпустила новый 150 В N-канальный TrenchFET® Power MOSFET SiR872ADP, который имеет малое сопротивление открытого канала 18 мОм при напряжении 10 В и 23 мОм при 7.5 В, при сохранении низкого заряда затвора до 22.8 нКл. Обеспечивая более высокую производительность чем предыдущие несколько поколений транзисторов, этот MOSFET может потенциально уменьшить общее число компонентов для упрощения конструкции. SiR872ADP позволяет уменьшить потери проводимости и улучшить общую эффективность системы.

Основные параметры:

SiR872ADP разработан для применения в цепях первичного преобразования и вторичного синхронного выпрямления в DC/DC преобразователях и DC/AC инверторах; для повышающих преобразователей в телекоммуникационных блоках, солнечных инверторах, в драйверах бесщёточных двигателей постоянного тока.

Для заказа бесплатных образцов SiR872ADP напишите нам на почту info@alt-group.org