Новое поколение IGBT транзисторов Field Stop II от ON Semiconductor
23.12.2013
Компания ON Semiconductor представила новое поколение IGBT транзисторов Field Stop II (FSII) с улучшенными статическими и динамическими параметрами для применения в высокопроизводительных силовых преобразователях питания, таких как инверторы, источники бесперебойного питания, сварочные аппараты.
Два представителя новой серии NGTB20N120IHRWG и NGTB20N135IHRWG уже сейчас доступны для заказа.
Основные характеристики
- рекомендуемый частотный диапазон: 15 …30 кГц;
- номинальный рабочий ток: 20 А;
- максимальное рабочее напряжение:
- NGTB20N120IHRWG – 1200 В;
- NGTB20N135IHRWG – 1350 В;
- диапазон рабочих температур -40…+175°C.