Эффективные 600V IGBT 6-го поколения в SMD корпусах
23.12.2013
Компания International Rectifier предлагает широкую линейку эффективных 600 В IGBT, выполненных по Field-Stop Trench технологии (шестое поколение кремниевой технологии – Gen6) и поставляемых в корпусах для SMD-монтажа: D-PAK и D2-PAK.
Транзисторы обеспечивают высокую плотность мощности и КПД на высоких частотах коммутации – спецификация ultrafast подразумевает диапазон рабочих частот от 8 до 30 кГц. Все IGBT в линейке имеют встроенный антипараллельный диод, что позволяет уменьшить габариты конечного устройства за счет исключения внешнего диода в отдельном корпусе.
Малые значения температурного сопротивления кристалл-корпуса вкупе с низкими значениями Vce(on) обеспечивают рабочий ток транзисторов до 24 А при температуре корпуса 100°C. Это позволяет, во многих случаях, полностью отказаться от радиатора и отводить тепло исключительно на поверхность печатной платы. Квадратная форма зоны работы при обратном смещении (BRSOA), высокая (175°C) допустимая рабочая температура кристалла и 5 мкс область безопасной работы в режиме КЗ (SCSOA) обеспечивают транзисторам повышенную надежность в жестких условиях эксплуатации.
Наименование | Ic, A | Vce(on) при 25°С, В | Ets тип., мкДж | Диод (тип.) | Корпус | |||
при 25°С | при 100°С | тип. | макс. | Vf, В | trr, нс | |||
IRGS4045DPBF | 12 | 6 | 1.70 | 2.00 | 178 | 1.6 | 74 | D2-PAK |
IRGR4045DPBF | 12 | 6 | 1.70 | 2.00 | 178 | 1.6 | 74 | D-PAK |
IRGS4064DPBF | 20 | 10 | 1.60 | 1.91 | 229 | 2.5 | 62 | D2-PAK |
IRGS4056DPBF | 24 | 12 | 1.55 | 1.85 | 300 | 2.1 | 68 | D2-PAK |
IRGS4062DPBF | 48 | 24 | 1.60 | 1.95 | 715 | 1.8 | 89 | D2-PAK |
Обозначенные IGBT идеально подходят для применения в составе выходных полумостов, корректоров коэффициента мощности (ККМ) и зарядных устройств. Подобные схемы являются частью систем бесперебойного электропитания (UPS), систем электропривода промышленного и потребительского сегментов, а также промышленных систем общего назначения.